4.1  Tunnel diode

Tunneldioden zijn halfgeleiders die worden vervaardigd uit Gallium arsenide (GaAs).

4.2 Symbool van een tunnel diode







4.3 Uitzicht van een tunnel diode









4.4  Werking van een tunnel diode


Bij tunneldioden worden het p- en n-gebied anders gedopeerd dan bij gelijkrichter dioden.
Dit leidt tot een zeer klein verarmingsgebied. Hierdoor treedt er geen doorslageffect (breakdown) op,
wat bij de klassieke gelijkrichters wel gebeurt.

Elektronische componenten
TUNNEL DIODE


Omdat het verarmingsgebied zo klein is, is het voor de elektronen mogelijk om bij een zeer lage biasstroom in de doorlaatrichting door de pn-junctie te glippen.
Er is dus sprake van een tunneleffect.
De diode gedraagt zich dan als een geleider. Dit wordt weergegeven in de figuur tussen de punten A en B. In punt B begint de spanning in de doorlaatrichting een barrière te vormen. Dit zal, voor een stijging in doorlaatspanning, resulteren in een daling van de stroom. Deze relatie is het tegenovergestelde van de Wet van Ohm, waar een spanningsstijging zorgt voor een stijging van de stroom.
Dit is de reden waarom we spreken van negatieve weerstand. Vanaf het punt C in de afbeelding, gedraagt de diode zich als een normale diode.



4.6  Toepassingen van een tunnel diode

Tunneldioden kunnen zeer hoge schakelfrequenties aan. Daarom kunnen ze worden gebruikt bij toepassingen met microgolven en zeer hoogfrequente oscillatoren.
Menu